Abschnitt 12
Feldeffekttransistoren
Berechnet MOSFET-Sättigungsstrom aus dem Schaltungsmodell und den genannten Bedingungen.
- Anreicherungs-NMOS, außer JFET; Arbeitspunkt in der genannten Region.
Die Overdrive-Spannung Vov=VGS−Vth misst, wie weit VGS über Vth liegt, nicht die Schwellspannung.
- Anreicherungs-NMOS, außer JFET; Arbeitspunkt in der genannten Region.
Berechnet MOSFET-Strom im Triodenbereich aus dem Schaltungsmodell und den genannten Bedingungen.
- Anreicherungs-NMOS, außer JFET; Arbeitspunkt in der genannten Region.
Calcula condición de saturación MOSFET a partir del modelo del circuito y de las condiciones indicadas.
- Anreicherungs-NMOS, außer JFET; Arbeitspunkt in der genannten Region.
Berechnet MOSFET-Sperrbedingung aus dem Schaltungsmodell und den genannten Bedingungen.
- Anreicherungs-NMOS, außer JFET; Arbeitspunkt in der genannten Region.
Berechnet Einschaltwiderstand aus dem Schaltungsmodell und den genannten Bedingungen.
- Anreicherungs-NMOS, außer JFET; Arbeitspunkt in der genannten Region.
Berechnet MOSFET als Schalter aus dem Schaltungsmodell und den genannten Bedingungen.
- Anreicherungs-NMOS, außer JFET; Arbeitspunkt in der genannten Region.
Berechnet MOSFET-Steilheit aus dem Schaltungsmodell und den genannten Bedingungen.
- Anreicherungs-NMOS, außer JFET; Arbeitspunkt in der genannten Region.
Berechnet JFET-Sättigungsstrom aus dem Schaltungsmodell und den genannten Bedingungen.
- Anreicherungs-NMOS, außer JFET; Arbeitspunkt in der genannten Region.
Berechnet MOSFET-Arbeitspunkteinstellung aus dem Schaltungsmodell und den genannten Bedingungen.
- Anreicherungs-NMOS, außer JFET; Arbeitspunkt in der genannten Region.