MOSFET-Overdrive-Spannung

Schlagwörter

• Elektronik
• Feldeffekttransistoren
• Physik
• Elektronikformel
• Formel Physik
• Transistoren

Detail

Variablen

• $I_D,I_{DSS}$A
• $V_{GS},V_{th},V_{DS}$V
• $k_n$A/V²
• $R_{DS(\mathrm{on})}$Ω
• $g_m$S.

Bedingungen

• Anreicherungs-NMOS, außer JFET; Arbeitspunkt in der genannten Region.

Konventionen

• A, V, S oder Ω

Verwandte Formeln

• Verwandt

  MOSFET-Sättigungsstrom

  $$I_D=\frac{1}{2}k_n(V_{GS}-V_{\mathrm{th}})^2$$
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• Verwandt

  MOSFET-Strom im Triodenbereich

  $$I_D=k_n\left[(V_{GS}-V_{\mathrm{th}})V_{DS}-\frac{V_{DS}^2}{2}\right]$$
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• Verwandt

  Shockley-Gleichung

  $$I_D=I_S\left(e^{v_D/(nV_T)}-1\right)$$
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• Verwandt

  Thévenin-Spannung

  $$V_{\mathrm{Th}}=V_{\mathrm{oc}}$$
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