Aktiver Bereich des BJT

Schlagwörter

• Bipolartransistoren
• Elektronik
• Physik
• Elektronikformel
• Formel Physik
• Transistoren

Detail

Idee erkunden

Variablen

• $I_C,I_B,I_E$A
• $\alpha,\beta$dimensionslos
• $V_{CE},V_{BE}$V
• $g_m$S
• $r_\pi$Ω.

Bedingungen

• NPN-Kleinsignal, sofern nicht anders; in der genannten Region bleiben.

Anschauliche Erklärung

Für „Aktiver Bereich des BJT“: IB setzt IC = β IB im aktiven Bereich; die Lastgerade läuft durch Sperr-, Aktiv- und Sättigungsbereich.

Durchgerechnetes Beispiel

Häufige Fehler

• IC=β IB in Sättigung
• VCE(sat) vergessen
• Emitter und Kollektor tauschen

Häufig gestellte Fragen

Was muss vor der Verwendung der Beziehung «Aktiver Bereich des BJT» geprüft werden?

Region (Sperre, aktiv, Sättigung) vor β oder VCE(sat) identifizieren.

Auch bekannt als

• beta, load line, active region, saturation, Q point

Konventionen

• A, V, S oder Ω

Verwandte Formeln

• Verwandt

  Beziehung zwischen beta und alpha

  $$\beta=\frac{\alpha}{1-\alpha}$$
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• Verwandt

  Sperrbereich des BJT

  $$I_B\approx0,\qquad I_C\approx0$$
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• Verwandt

  Shockley-Gleichung

  $$I_D=I_S\left(e^{v_D/(nV_T)}-1\right)$$
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• Verwandt

  Schwellwertmodell der Siliziumdiode

  $$V_D\approx0.7\ \mathrm{V}$$
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