Transconductance du BJT

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Détail

Variables

• $I_C,I_B,I_E$A
• $\alpha,\beta$adimensionnels
• $V_{CE},V_{BE}$V
• $g_m$S
• $r_\pi$Ω.

Conditions

• NPN petit signal sauf indication ; rester dans la région nommée.

Conventions

• A, V, S ou Ω

Formules liées

• Liée

  Polarisation par diviseur du BJT

  $$V_B\approx V_{CC}\frac{R_2}{R_1+R_2}$$
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• Liée

  Résistance d'entrée petit signal

  $$r_\pi=\frac{\beta}{g_m}$$
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• Liée

  Équation de Shockley

  $$I_D=I_S\left(e^{v_D/(nV_T)}-1\right)$$
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• Liée

  Modèle de seuil de la diode silicium

  $$V_D\approx0.7\ \mathrm{V}$$
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