Polarisation par diviseur du BJT

Étiquettes

• Transistors bipolaires
• Électronique
• physique
• Formule d'électronique
• formule physique
• Transistors

Détail

Variables

• $I_C,I_B,I_E$A
• $\alpha,\beta$adimensionnels
• $V_{CE},V_{BE}$V
• $g_m$S
• $r_\pi$Ω.

Conditions

• NPN petit signal sauf indication ; rester dans la région nommée.

Conventions

• A, V, S ou Ω

Formules liées

• Liée

  Droite de charge du BJT

  $$V_{CE}=V_{CC}-I_CR_C$$
  Voir la formuleVoir dans la section

• Liée

  Transconductance du BJT

  $$g_m=\frac{I_C}{V_T}$$
  Voir la formuleVoir dans la section

• Liée

  Équation de Shockley

  $$I_D=I_S\left(e^{v_D/(nV_T)}-1\right)$$
  Voir la formuleVoir dans la section

• Liée

  Modèle de seuil de la diode silicium

  $$V_D\approx0.7\ \mathrm{V}$$
  Voir la formuleVoir dans la section