Sección 12
Transistores FET
Calcula corriente MOSFET en saturación a partir del modelo del circuito y de las condiciones indicadas.
- NMOS de enriquecimiento salvo JFET; polarización en la región citada.
La sobreexcitación Vov=VGS−Vth mide cuánto supera VGS al umbral Vth, no es la tensión umbral.
- NMOS de enriquecimiento salvo JFET; polarización en la región citada.
Calcula corriente MOSFET en región triodo a partir del modelo del circuito y de las condiciones indicadas.
- NMOS de enriquecimiento salvo JFET; polarización en la región citada.
Calcula condición de saturación MOSFET a partir del modelo del circuito y de las condiciones indicadas.
- NMOS de enriquecimiento salvo JFET; polarización en la región citada.
Calcula condición de corte MOSFET a partir del modelo del circuito y de las condiciones indicadas.
- NMOS de enriquecimiento salvo JFET; polarización en la región citada.
Calcula resistencia de encendido a partir del modelo del circuito y de las condiciones indicadas.
- NMOS de enriquecimiento salvo JFET; polarización en la región citada.
Calcula MOSFET como interruptor a partir del modelo del circuito y de las condiciones indicadas.
- NMOS de enriquecimiento salvo JFET; polarización en la región citada.
Calcula transconductancia MOSFET a partir del modelo del circuito y de las condiciones indicadas.
- NMOS de enriquecimiento salvo JFET; polarización en la región citada.
Calcula corriente de saturación JFET a partir del modelo del circuito y de las condiciones indicadas.
- NMOS de enriquecimiento salvo JFET; polarización en la región citada.
Calcula polarización MOSFET a partir del modelo del circuito y de las condiciones indicadas.
- NMOS de enriquecimiento salvo JFET; polarización en la región citada.