Tensión de sobreexcitación MOSFET

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Detalle

Variables

• $I_D,I_{DSS}$A
• $V_{GS},V_{th},V_{DS}$V
• $k_n$A/V²
• $R_{DS(\mathrm{on})}$Ω
• $g_m$S.

Condiciones

• NMOS de enriquecimiento salvo JFET; polarización en la región citada.

Convenciones

• A, V, S u Ω

Fórmulas relacionadas

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  $$I_D=\frac{1}{2}k_n(V_{GS}-V_{\mathrm{th}})^2$$
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  $$I_D=k_n\left[(V_{GS}-V_{\mathrm{th}})V_{DS}-\frac{V_{DS}^2}{2}\right]$$
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  $$I_D=I_S\left(e^{v_D/(nV_T)}-1\right)$$
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  $$V_{\mathrm{Th}}=V_{\mathrm{oc}}$$
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