Modello di soglia del diodo al silicio

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Dettaglio

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Variabili

• $v,V_F,V_Z,V_T$V
• $I,I_s$A
• $n$fattore di idealità
• $E_g$eV
• $f,R,C$Hz, Ω, F.

Condizioni

• Modello indicato (Shockley, soglia o Zener); la temperatura è in VT.

Spiegazione intuitiva

Per «Modello di soglia del diodo al silicio»: il diodo conduce forte oltre la soglia; il raddrizzatore taglia o piega la sinusoide.

Esempio svolto

Errori comuni

• usare 0.7 V in inversa
• dimenticare il ripple
• mescolare mezz'onda e onda intera in Vavg

Domande frequenti

Cosa va verificato prima di usare la relazione «Modello di soglia del diodo al silicio»?

Scegliere il modello (soglia, Shockley o Zener) e l'intervallo di conduzione.

Conosciuto anche come

• Shockley diode, 0.7 V threshold, rectifier, ripple, Zener

Temi correlati

• Diodi e raddrizzamento

Convenzioni

• V, A o eV

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  $$V_T=\frac{kT}{q}$$
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  $$V_{\mathrm{med}}=\frac{V_p}{\pi}$$
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  $$V_{\mathrm{med}}=\frac{2V_p}{\pi}$$
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  $$p(t)=v(t)i(t)$$
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