MOSFET comme interrupteur

Étiquettes

• Électronique
• Transistors à effet de champ
• physique
• Formule d'électronique
• formule physique
• Transistors

Détail

Variables

• $I_D,I_{DSS}$A
• $V_{GS},V_{th},V_{DS}$V
• $k_n$A/V²
• $R_{DS(\mathrm{on})}$Ω
• $g_m$S.

Conditions

• NMOS à enrichissement sauf JFET ; polarisation dans la région citée.

Conventions

• A, V, S ou Ω

Formules liées

• Liée

  Résistance à l'état passant

  $$R_{\mathrm{DS(on)}}=\frac{V_{DS}}{I_D}$$
  Voir la formuleVoir dans la section

• Liée

  Transconductance MOSFET

  $$g_m=k_n(V_{GS}-V_{\mathrm{th}})$$
  Voir la formuleVoir dans la section

• Liée

  Équation de Shockley

  $$I_D=I_S\left(e^{v_D/(nV_T)}-1\right)$$
  Voir la formuleVoir dans la section

• Liée

  Tension de Thévenin

  $$V_{\mathrm{Th}}=V_{\mathrm{oc}}$$
  Voir la formuleVoir dans la section