MOSFET como chave

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Detalhe

Variáveis

• $I_D,I_{DSS}$A
• $V_{GS},V_{th},V_{DS}$V
• $k_n$A/V²
• $R_{DS(\mathrm{on})}$Ω
• $g_m$S.

Condições

• NMOS de enriquecimento salvo JFET; polarização na região citada.

Convenções

• A, V, S ou Ω

Fórmulas relacionadas

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  Resistência de condução

  $$R_{\mathrm{DS(on)}}=\frac{V_{DS}}{I_D}$$
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  Transcondutância MOSFET

  $$g_m=k_n(V_{GS}-V_{\mathrm{th}})$$
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  Equação de Shockley

  $$I_D=I_S\left(e^{v_D/(nV_T)}-1\right)$$
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  Tensão de Thévenin

  $$V_{\mathrm{Th}}=V_{\mathrm{oc}}$$
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